IPM营收超越日企位居全国第一，士兰微去年研发投入创历史新高，今年经营计划彰显强劲增长信心

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　　4月8日晚间，士兰微（600460）公告，公司2023年实现营业收入93.4亿元，同比增长12.77%，创历史新高；实现归母净利润-3578.58万元。公司业绩亏损是因为持有股票的价格大跌导致公允价值变动以及叠加消费电子市场需求不振等因素所致。

　　值得一提的是，除了营收创出历史新高，士兰微去年经营亮点颇多，比如研发投入创历史新高；IPM营收超越日企，位列国内第一、全球前三；车规级低压MOS器件实现大批量出货等等。展望2024年，公司计划实现营收达120亿元，彰显强劲增长信心。

　　逆市持续增长，士兰微2023年营收逼近百亿元大关

　　全球半导体行业经历了2021年高速增长后，2022年增速开始回落，并在2023年进一步回落。不过，作为IDM半导体龙头，士兰微却在持续高增长，2020年至2023年连续4年营收增速超10%，2023年营收逼近百亿元大关，创出历史新高。

　　公司三大类产品中（集成电路、分立器件产品和发光二极管产品），集成电路增长迅猛，去年实现营收31.29亿元，同比增长14.88%；公司IPM模块、DC-DC电路、LED及低压电机驱动电路、32位MCU电路、快充电路等产品的出货量明显加快。其中，IPM模块的营业收入达到19.83亿元，较上年同期增长37%。士兰微董秘陈越在接受证券时报记者采访时指出，公司IPM营收超越日企位列国内第一、全球前三。

　　研发投入创历史新高

　　在半导体行情处于周期低迷之际，士兰微“苦练内功”谋求更大的发展。近年来，士兰微研发投入增速迅猛，去年研发投入达到8.82亿元，创出历史新高，同比增长近19%，为连续4年同比增速超10%。

　　持续高研发投入带来良好的经济效应。公司的超结MOSFET、IGBT、FRD、高性能低压分离栅MOSFET、SiC MOSFET等分立器件的技术平台研发持续获得较快进展，产品性能达到业内领先的水平。2023年公司IGBT（包括IGBT器件和PIM模块）的营业收入已达到14亿元，较去年同期增长140%以上。基于公司自主研发的V代IGBT和FRD芯片的电动汽车主电机驱动模块，已在比亚迪（002594）、吉利、零跑、广汽、汇川、东风、长安等国内外多家客户实现批量供货；公司用于汽车的IGBT器件（单管）、MOSFET器件（单管）已实现大批量出货，公司用于光伏的IGBT器件（成品）、逆变控制模块、SiC MOS器件也实现批量出货。

　　今年经营计划彰显强劲增长信心

　　在2023年年报中，公司还披露了2024年经营计划，预计2024年实现营业总收入120亿元左右（比2023年增长28%左右），营业总成本将控制在113亿元左右（比2023年增长26%左右）；预计2024年公司研发支出总计约为10.55亿元（比2023年增加20%左右）。面临外部环境的挑战，公司管理层一方面自我施压，另一方面也对今年公司的成长充满信心。公司同时提到，上述预计不构成对本公司的盈利预测，其实现具有不确定性，提请投资者注意投资风险。

　　股东分红三年（2024—2026）回报规划也体现出士兰微积极回报股东的良好姿态。公告提出，公司连续三年以现金方式累计分配的利润不少于该连续三年内实现的年均可分配利润的30%。公司实施差异化的现金分红政策，发展成熟期且无重大资金支出安排的，现金分红比例最低应达到80%；发展成熟期且无重大资金支出安排的，现金分红比例最低应达到40%；成长期且有重大资金支出安排的，现金分红比例最低应达到20%。

来源：证券时报网

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